A.39
B.59
C.69
D.49
E.29
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A.短的
B.高速用
C.感知器
D.半導(dǎo)體
A.是一壓控組件
B.是單極性組件
C.輸入阻抗很低
D.沒(méi)有抵補(bǔ)（offset）電壓是一個(gè)很好的開(kāi)關(guān)組件
A.輸入阻抗極低，有極高扇出數(shù)
B.集成電路所占體積小
C.O”是指二氧化硅層
D.可作雙向?qū)ΨQ開(kāi)關(guān)
A.共源極（CS）
B.共汲極（CD）
C.共閘極（CG）
D.以上皆非
如圖所示的電路為N信道空乏型MOSFET的偏壓電路，設(shè)VDD=+24V，RD=1.2kΩ，RG=10MΩ，MOSFET的IDSS=9mA，VP=－4.5V，則直流偏壓值為何？（）
A.VGS=4.5V，ID=9mA
B.VGS=－4.5V，ID=4.5mA
C.VGS=0V，VGS=18.6V
D.VGS=0V，VDS=4.5V
E.VGS=0V，VDS=13.2V
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