單項(xiàng)選擇題有關(guān)MOSFET下列何者為非？（）

A.輸入阻抗極低，有極高扇出數(shù)
B.集成電路所占體積小
C.O”是指二氧化硅層
D.可作雙向?qū)ΨQ開關(guān)


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1.單項(xiàng)選擇題場效晶體管的放大電路中，何種組態(tài)的輸出信號為反相？（）

A.共源極（CS）
B.共汲極（CD）
C.共閘極（CG）
D.以上皆非

2.單項(xiàng)選擇題

如圖所示的電路為N信道空乏型MOSFET的偏壓電路，設(shè)VDD=+24V，RD=1.2kΩ，RG=10MΩ，MOSFET的IDSS=9mA，VP=－4.5V，則直流偏壓值為何？（）

A.VGS=4.5V，ID=9mA
B.VGS=－4.5V，ID=4.5mA
C.VGS=0V，VGS=18.6V
D.VGS=0V，VDS=4.5V
E.VGS=0V，VDS=13.2V

4.單項(xiàng)選擇題制作晶體管時(shí)，各接腳區(qū)的摻雜濃度為（）

A.E>B>C
B.B>E>C
C.E>C>B
D.C>E>B