A.反射系數(shù)
B.吸收系數(shù)
C.總線性衰減系數(shù)
D.碰撞系數(shù)
E.彈性系數(shù)
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A.Cu-Sn-Al
B.AI-Sn-Cu
C.Cu-Al-Sn
D.Sn-Cu-Al
E.A1-Cu-Sn
A.電離室
B.正比計(jì)數(shù)器
C.閃爍探測(cè)器
D.半導(dǎo)體探測(cè)器
E.GM計(jì)數(shù)器
A.開野與楔形野的數(shù)據(jù)都必須輸入
B.每個(gè)射野的輸出劑量率
C.典型的光子射野數(shù)據(jù)是中心軸PDD和不同深度的OAR
D.射野輸出因子
E.使用電離室測(cè)量電子束PDD應(yīng)進(jìn)行轉(zhuǎn)換
A.越清晰
B.質(zhì)量越高
C.不受影響
D.對(duì)比度越低
E.對(duì)比度越高
A.锎—225
B.鍶—90
C.銥—192
D.銫—137
E.碘—125
最新試題
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒有確定的射程。
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋觯e(cuò)誤的是()。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
對(duì)加速器射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。