A.包括劑量補(bǔ)償器和組織補(bǔ)償器
B.補(bǔ)償器應(yīng)緊貼皮膚,以修復(fù)曲面的影響。
C.補(bǔ)償器應(yīng)放在射野擋塊相同位臵
D.組織補(bǔ)償?shù)母拍钭钤缬蒃LLIS提出
E.補(bǔ)償器要根據(jù)組織缺損的厚度按比例制作
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A.在巴黎系統(tǒng)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)
B.陰道源的分布要盡量寬
C.宮腔與陰道源的強(qiáng)度為不同的比例
D.對(duì)特定點(diǎn)如A點(diǎn)B點(diǎn)的劑量準(zhǔn)確
E.A點(diǎn)劑量規(guī)定為7000R
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
E.±5%
A.≤、≤
B.≥、≥
C.≤、≥
D.≥、≤
E.=、=
A.CF=TAR(h-d,F(xiàn)SZd)/TAR(d,F(xiàn)SZd)
B.CF=TAR(d-h,F(xiàn)SZd)/TAR(h,F(xiàn)SZd)
C.CF=TAR(d-h,F(xiàn)SZd)/TAR(d,F(xiàn)SZd)
D.CF=TAR(h-d,F(xiàn)SZd)/TAR(h,F(xiàn)SZd)
E.CF=TAR(d,F(xiàn)SZd)/TAR(d-h,F(xiàn)SZd)
A.與乏氧細(xì)胞數(shù)目有關(guān)
B.與正常組織細(xì)胞增殖有關(guān)
C.與正常組織修復(fù)能力有關(guān)
D.與腫瘤細(xì)胞的再分布有關(guān)
E.細(xì)胞存在亞致死損傷
最新試題
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋?,錯(cuò)誤的是()。
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達(dá)式是()。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。