A.高靈敏度
B.尺寸小
C.線性能量響應(yīng)
D.需要做溫度校準(zhǔn)
E.累積劑量會(huì)改變靈敏度
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A.光子強(qiáng)度
B.光子能量
C.次級(jí)電子有射程
D.次級(jí)電子強(qiáng)度
E.次級(jí)電子能量
A.光子強(qiáng)度,衰減介質(zhì)的原子序數(shù)
B.光子強(qiáng)度,衰減介質(zhì)的阻止本領(lǐng)
C.光子能量,衰減介質(zhì)的原子序數(shù)
D.光子能量,衰減介質(zhì)的厚度
E.光子能量,衰減介質(zhì)的質(zhì)量
A.電離室
B.正比計(jì)數(shù)器
C.閃爍探測(cè)器
D.半導(dǎo)體探測(cè)器
E.GM計(jì)數(shù)器
A.CTV
B.BEV
C.REV
D.DRR
E.DVH
A.輸出劑量
B.射野平坦度
C.虛擬楔形角度
D.射野對(duì)稱性
E.輸出劑量率
最新試題
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋觯e(cuò)誤的是()。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
低LET射線照射哺乳動(dòng)物細(xì)胞存活曲線在低劑量段有肩區(qū),提示()。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒有確定的射程。
關(guān)于曼徹斯特系統(tǒng)的描述錯(cuò)誤的是()。
對(duì)重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。