最新試題
舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。
題型：?jiǎn)柎痤}
試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型：?jiǎn)柎痤}
本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。
題型：判斷題
在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
題型：判斷題
自由電子是載流子，空穴不是。
題型：判斷題
OED/ORD
題型：名詞解釋
試說明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。
題型：?jiǎn)柎痤}
半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型：判斷題
根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。
題型：?jiǎn)柎痤}