最新試題
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型:問答題
從設(shè)計的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:問答題
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過()等步驟。
題型:多項(xiàng)選擇題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:問答題
什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。
題型:問答題
試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長。
題型:問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
題型:多項(xiàng)選擇題
由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響?
題型:問答題