單項選擇題半導體應變片的工作原理是基于（）。

A.壓阻效應
B.熱電效應
C.壓電效應
D.壓磁效應


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1.單項選擇題金屬電阻應變片受力會產(chǎn)生電阻值的變化，其主要原因是（）

A.壓阻效應
B.壓磁效應
C.壓電效應
D.電阻絲的幾何尺寸變化

3.單項選擇題電阻應變式扭矩傳感器在測量時會引起應變片的哪個物理量發(fā)生變化（）。

A.磁導率
B.熱導率
C.電阻率
D.介電常數(shù)

4.單項選擇題電阻應變片配用的測量電路中，為了克服分布電容的影響，多采用（）。

A.直流平衡電橋
B.直流不平衡電橋
C.交流平衡電橋
D.交流不平衡電橋

5.單項選擇題適合于使用紅外傳感器進行測量的被測物理量是（）。

A.轉(zhuǎn)速
B.溫度
C.厚度
D.加速度