填空題晶體管的全部應用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
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處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
半導體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
()是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型:填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型:判斷題