單項(xiàng)選擇題

如圖所示，晶體管之β=40，使晶體管飽和之最小IB為？（）

A.2mA
B.1mA
C.0.5mA
D.0.1mA


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1.單項(xiàng)選擇題制作晶體管時(shí)，各接腳區(qū)的摻雜濃度為（）

A.E>B>C
B.B>E>C
C.E>C>B
D.C>E>B

3.單項(xiàng)選擇題若晶體管位于截止區(qū)，則電壓特性為（）

A.VEB順偏，VCB順偏
B.VEB順偏，VCB逆偏
C.VEB逆偏，VCB逆偏
D.VEB逆偏，VCB順偏

4.單項(xiàng)選擇題NPN晶體管若欲工作在作用區(qū)（active-region），則（）

A.基射接面需順偏，基集接面需順偏
B.基射接面需順偏，基集接面需反偏
C.基射接面需反偏，基集接面需順偏
D.基射接面需反偏，基集接面需反偏