填空題如果以Little-endian方式存儲(chǔ),在WinHex中讀取表現(xiàn)為56AB78EF,該值應(yīng)為()。

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4.多項(xiàng)選擇題關(guān)于磁頭與盤(pán)片的距離,下列表述正確的是()。

A.磁頭在不工作時(shí),是不會(huì)懸浮在盤(pán)片表面的
B.某個(gè)現(xiàn)代機(jī)械硬盤(pán),工作時(shí)磁頭與盤(pán)片的距離為頭發(fā)直徑的千分之一
C.某個(gè)現(xiàn)代機(jī)械硬盤(pán),工作時(shí)磁頭與盤(pán)片的距離為10~30微米
D.某個(gè)現(xiàn)代機(jī)械硬盤(pán)不工作時(shí),磁頭與盤(pán)片的距離略高

5.多項(xiàng)選擇題關(guān)于缺陷表的說(shuō)法,正確的是()。

A.相同型號(hào)的硬盤(pán),缺陷表可以相互替換
B.P-List損壞和G-List損壞相比,前者導(dǎo)致的數(shù)據(jù)問(wèn)題往往更嚴(yán)重
C.相同數(shù)量的缺陷扇區(qū)數(shù)存在于P-List或G-List,相對(duì)連續(xù)讀寫(xiě)而言,P-List缺陷對(duì)性能的影響更小
D.一塊經(jīng)過(guò)工廠嚴(yán)格測(cè)試的硬盤(pán),也可能有缺陷扇區(qū)