單項(xiàng)選擇題晶體的線性生長(zhǎng)速率與溫度有關(guān),溫度(),晶體線性生長(zhǎng)速率越大。
A.越低
B.越高
C.在合適的過(guò)冷度下
D.無(wú)變化規(guī)律
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1.單項(xiàng)選擇題在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中,晶體一側(cè)的原子向熔體一側(cè)擴(kuò)散時(shí),其吉布斯自由能變化是()。
A.?Ga
B.-V?Gv
C.?Ga +V?Gv
D.?Ga-V?Gv
2.單項(xiàng)選擇題晶體生長(zhǎng)速率類(lèi)似于()過(guò)程,取決于()。
A.熔融;從熔體一側(cè)移動(dòng)到晶體一側(cè)原子數(shù)目
B.擴(kuò)散;從晶體一側(cè)移動(dòng)到熔體一側(cè)原子的數(shù)目
C.熔融過(guò)程;從熔體一側(cè)移動(dòng)到晶體一側(cè)原子數(shù)目和晶體一側(cè)移動(dòng)到熔體一側(cè)原子的數(shù)目之差
D.擴(kuò)散過(guò)程;從熔體一側(cè)移動(dòng)到晶體一側(cè)原子數(shù)目和晶體一側(cè)移動(dòng)到熔體一側(cè)原子的數(shù)目之差
3.單項(xiàng)選擇題溫度對(duì)成核速率的影響是,在合適的過(guò)冷度范圍內(nèi),溫度(),成核速率越大。
A.越低
B.越高
C.無(wú)規(guī)律
D.無(wú)影響
4.單項(xiàng)選擇題相比均勻成核,非均勻成核的成核位壘更(),發(fā)生更加()。
A.小;困難
B.大;困難
C.??;容易?
D.大;容易
5.多項(xiàng)選擇題處于過(guò)冷狀態(tài)的熔體,在能量變化上包括()變化。
A.形成新相,體積自由能減少
B.形成新的界面,界面能減少
C.形成新相,體積自由能增加
D.形成新的界面,界面能增加
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