A.布線時(shí),時(shí)鐘線與其它線的間距要保證3W間距以上
B.數(shù)據(jù)線、地址線、控制線的間距要保證3W以上的間距
C.數(shù)據(jù)線內(nèi)、地址線內(nèi)、控制線內(nèi)保證2W線寬的間距
D.如果兩個(gè)信號(hào)層相鄰,要使相鄰兩層的信號(hào)走線正交
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A.10,100
B.20,100
C.20,200
D.10,200
A.DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)參考DQS選通信號(hào),地址\控制信號(hào)參考CK\CK#差分時(shí)鐘信號(hào),而SDRAM信號(hào)的數(shù)據(jù)、地址、控制信號(hào)是參考同一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)
B.DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)分成多組,同組內(nèi)的數(shù)據(jù)信號(hào)參考同組內(nèi)的選通信號(hào);地址、控制信號(hào)參考CK\CK#差分時(shí)鐘信號(hào)
C.DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)參考的時(shí)鐘信號(hào)即DQS信號(hào)是上升沿和下降沿都有效,而SDRAM的時(shí)鐘信號(hào)只有在上升沿有效
D.DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)通常分成幾組,如每8位數(shù)據(jù)信號(hào)加一位選通信號(hào)DQS組成一組,同一組的數(shù)據(jù)信號(hào)參考相同組內(nèi)的選通信號(hào)
A.1333Mhz
B.667Mhz
C.333Mhz
D.266Mhz
A.DDR也是一種SDRAM
B.DDR是在SRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來
C.允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)
D.不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率
A.時(shí)鐘采用∏型濾波,∏型濾波的布局要緊湊,布線時(shí)禁止形成Stub
B.控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連
C.數(shù)據(jù)線的端接可以在CPU和SDRAM中間串接電阻
D.數(shù)據(jù)線的端接可以在CPU和SDRAM兩端串接電阻
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