填空題偽NMOS邏輯實現(xiàn)一個N輸入邏輯門所需MOS管的個數(shù)為（）個。
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WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。
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收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
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題型：判斷題
為了獲得好的性能，塑封料的電學性必須得到控制。
題型：判斷題
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：單項選擇題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項選擇題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：單項選擇題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題