單項選擇題下列哪兩種性質(zhì)是組成半導體探測器的關鍵?()
A.高的電阻率,短的載流子壽命
B.高的電阻率,長的載流子壽命
C.低的電阻率,長的載流子壽命
D.低的電阻率,短的載流子壽命
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1.單項選擇題摻雜下列哪種元素的雜質(zhì)半導體是屬于間隙型的?()
A.Li
B.B
C.P
D.Al
2.單項選擇題與氣體探測器相比,下列哪一項不是半導體探測器的優(yōu)點?()
A.能量分辨率好
B.對γ射線的探測效率高
C.結(jié)構(gòu)緊湊
D.不易受射線損傷
3.單項選擇題下列哪項不是閃爍探測器必備的構(gòu)成部分?()
A.光電倍增器件
B.組分恒定的氣體環(huán)境
C.閃爍體
D.前置放大器
4.單項選擇題閃爍探測器的特點不包括下面哪項?()
A.探測效率高
B.時間特性好
C.用途廣泛,閃爍體選擇多
D.適合于測量帶電粒子,不適合測量不帶電粒子
5.單項選擇題處于電流脈沖型工作狀態(tài)的閃爍探測器,其輸出脈沖幅度與下列哪個參數(shù)無關?()
A.陽極收集的總電荷量
B.閃爍體的發(fā)光衰減時間常數(shù)
C.輸出回路等效電容
D.輸出回路等效電阻
最新試題
下列關于真符合的描述錯誤的是()。
題型:單項選擇題
關于24Na-9Be中子源的描述不正確的是()。
題型:單項選擇題
改變下列哪項不會對活度探測產(chǎn)生明顯影響?()
題型:單項選擇題
下列對探測器本征探測效率沒有影響的是()。
題型:單項選擇題
常見的241Am-9Be中子源中,9Be的作用是()。
題型:單項選擇題
下列關于同位素源的特點的描述不正確的是()。
題型:單項選擇題
小立體角法是測量α源活度的手段之一,關于此方法的描述錯誤的是()。
題型:單項選擇題
關于延遲符合,下列描述錯誤的是()。
題型:單項選擇題
同位素中子源不包括哪一種?()
題型:單項選擇題
測量活度有相對法與絕對法,下列描述錯誤的是()。
題型:單項選擇題