問答題分別寫出均勻成核與非均勻成核的臨界晶核半徑、形核功，并說明為什么通常非均勻成核比均勻成核要容易？
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最新試題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題