一级美国片免费看,人妻体内射精一区二区三区

問答題 （a）在MgO晶體中，肖特基缺陷的生成能為6eV，計算在25℃和1600℃時熱缺陷的濃度。
（b）如果MgO晶體中，含有百萬分之一mol的Al₂O₃雜質，則在1600℃時，MgO晶體中是熱缺陷占優(yōu)勢還是雜質缺陷占優(yōu)勢？說明原因。

1.問答題 非化學計量氧化物TiO_2-x的制備強烈依賴于氧分壓和溫度：
（a）試列出其缺陷反應式。
（b）求其缺陷濃度表達式。

2.問答題非化學計量缺陷的濃度與周圍氣氛的性質、壓力大小相關，如果增大周圍氧氣的分壓，非化學計量化合物Fe_1-xO及Zn_1+xO的密度將發(fā)生怎樣變化？增大？減少？為什么？

3.問答題 試寫出在下列二種情況，生成什么缺陷？缺陷濃度是多少？
（a）在Al₂O₃中，添加0.01mol%的Cr₂O₃，生成淡紅寶石；
（b）在Al₂O₃中，添加0.5mol%的NiO，生成黃寶石。

4.問答題對某晶體的缺陷測定生成能為84KJ/mol，計算該晶體在1000K和1500K時的缺陷濃度。

5.問答題TiO_2-x和Fe_1-xO分別為具有陰離子空位和陽離子空位的非化學計量化合物。試說明其導電率和密度隨氧分壓PO₂變化的規(guī)律（以缺陷方程幫助說明）。