問(wèn)答題列出半導(dǎo)體制造中四種常見(jiàn)的雜質(zhì)，并說(shuō)明摻雜后相應(yīng)的半導(dǎo)體硅的導(dǎo)電類(lèi)型。
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1.問(wèn)答題半導(dǎo)體工藝中是如何形成PN結(jié)的？什么是結(jié)深？
2.問(wèn)答題摻雜的主要目的是什么？給出硅片制造中的三種主要摻雜應(yīng)用。
4.問(wèn)答題氧化系統(tǒng)的基本組成結(jié)構(gòu)及每一部分的主要作用。
最新試題
舉例說(shuō)明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。
題型：?jiǎn)柎痤}
半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。
題型：?jiǎn)柎痤}
在PN 結(jié)形成過(guò)程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型：判斷題
試說(shuō)明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。
題型：?jiǎn)柎痤}
試說(shuō)明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。
題型：?jiǎn)柎痤}
漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型：判斷題
明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。
題型：?jiǎn)柎痤}