最新試題
在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
題型：判斷題
說明氧化氣氛對擴(kuò)散有何影響及原因？
題型：問答題
在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴(kuò)散運動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型：判斷題
與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。
題型：判斷題
舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。
題型：問答題
下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是（）
題型：單項選擇題
薄層電阻
題型：名詞解釋
根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。
題型：問答題
漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型：判斷題
PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無關(guān)。
題型：判斷題