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電路如圖所示，T₁與T₂管的特性相同，所有晶體管的β均相同，R_c1遠(yuǎn)大于二極管的正向?qū)娮?。?dāng)u_I1＝u_I2＝0V時(shí)，u_O＝0V。
（1）求解電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式；
（2）當(dāng)有共模輸入電壓時(shí)，u_O=？簡(jiǎn)述理由。

在如圖所示的差分放大電路中，已知晶體管的β=80，r_be=2kΩ。
（1）求輸入電阻R_i和輸出電阻R_o；
（2）求差模電壓放大倍數(shù)。

某集成運(yùn)放電路如圖所示，設(shè)T₁、T₂管的參數(shù)完全相同。問(wèn)：
（1）T₁、T₂和R_REF組成什么電路？其作用是什么？
（2）I_C2與I_REF有什么關(guān)系？寫(xiě)出I_C2的表達(dá)式。

電路如圖所示，已知β₀=β₁=β₂=100。各管的V_BE均為0.7V，試求I_C2的值。

源極輸出器電路如圖所示，已知場(chǎng)效應(yīng)管工作點(diǎn)上的互導(dǎo)g_m=0.8mS，其它參數(shù)如圖中所示。畫(huà)出該電路的小信號(hào)等效電路；求電壓增益A_u、輸入電阻R_i和輸出電阻R_o。

已知電路參數(shù)如下圖所示，場(chǎng)效應(yīng)管工作點(diǎn)上的互導(dǎo)g_m=1mS。
（1）畫(huà)出該電路的小信號(hào)等效電路；
（2）求電壓增益A_u；
（3）求放大電路的輸入電阻R_i。

圖示曲線為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性。試問(wèn)：
（1）I_DSS、U_P值為多大？
（2）根據(jù)給定曲線，估算當(dāng)I_D=1.5mA和I_D=3.9mA時(shí)，g_m約為多少？
（3）根據(jù)g_m的定義：，計(jì)算U_GS=-1V和U_GS=-3V時(shí)相對(duì)應(yīng)的g_m值。

四個(gè)FET的轉(zhuǎn)移特性分別如下圖所示，其中漏極電流iD的假定正方向是它的實(shí)際方向。試問(wèn)它們各是哪種類(lèi)型的FET？

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管漏源特性曲線如圖題（a）~（d）所示。說(shuō)明圖（a）~（d）曲線對(duì)應(yīng)何種類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管。根據(jù)圖中曲線粗略地估計(jì)：開(kāi)啟電壓U_T、夾斷電壓U_P和漏極電流I_DSS或I_DO的數(shù)值。

已知某放大電路的增益表達(dá)式為，試畫(huà)出其波特圖。并確定電路的中頻增益A_usm、上限頻率f_H、下限頻率f_L。