名詞解釋分凝現(xiàn)象
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1.問(wèn)答題寫(xiě)出直拉單晶生長(zhǎng)工藝過(guò)程。
3.問(wèn)答題熔體生長(zhǎng)的晶體中溫度分布規(guī)律是什么？
4.問(wèn)答題寫(xiě)出熔體生長(zhǎng)的界面熱流連續(xù)方程并討論晶體直徑，生長(zhǎng)速度與晶體散熱和熔體供熱之間的關(guān)系。實(shí)際生產(chǎn)中如何控制晶體直徑？
最新試題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
題型：填空題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題