問(wèn)答題熔體生長(zhǎng)的晶體中溫度分布規(guī)律是什么？
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1.問(wèn)答題寫(xiě)出熔體生長(zhǎng)的界面熱流連續(xù)方程并討論晶體直徑，生長(zhǎng)速度與晶體散熱和熔體供熱之間的關(guān)系。實(shí)際生產(chǎn)中如何控制晶體直徑？
3.問(wèn)答題寫(xiě)出杰克遜因子的表達(dá)式并指出各參數(shù)的物理意義。
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述Kossel模型和Frank模型要點(diǎn)。
最新試題
晶體管正常使用過(guò)程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題