半導體物理問答題每日一練(2020.05.23)

已知鍺原子的濃度為4.4×10²²/cm³。
1）溫度為300K時，本征鍺的電阻率為47Ω·cm，μ_n=3900cm²/V·s，μ_p=1900cm²/V·s。試求本征載流子濃度。
2）若摻入銻雜質(zhì)，使每個鍺原子中有一個雜質(zhì)原子，計算300K時電子濃度和空穴濃度。
3）若假設雜質(zhì)全部電離，試求該摻雜鍺樣品的電阻率。
4）若流過該樣品的電流密度為100mA/cm²，求所加的電場強度。

摻施主濃度ND=10¹⁵cm^-3的n型硅，由于光的照射產(chǎn)生了非平衡載流子∆n=∆p=10¹⁴cm^-3。試計算這種情況下的準費米能級位置，并和原來的費米能級作比較。