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問答題室溫下，施主濃度為1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si與鋁Al形成金屬與半導(dǎo)體接觸，Al的功函數(shù)為4.30eV，Si的電子親和能為4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。計算硅Si的功函數(shù)。

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1.問答題 室溫下，n型硅樣品中，摻雜濃度N_D=10¹⁶cm^-3。光均勻照射Si樣品上，電子-空穴對的產(chǎn)生率為1.25×10²⁰cm^-3s^-1，樣品壽命為8μs。計算無光照和有光照的電導(dǎo)率。其中，已知q=1.6×10^-19C

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2.問答題對于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。試計算問題（2）中雜質(zhì)半導(dǎo)體的電阻率與本征硅的電阻率的比值。

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3.問答題對于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。畫出問題（2）中雜質(zhì)半導(dǎo)體的能帶圖，并確定費米能級相對于E_C的位置

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4.問答題對于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。當(dāng)在本征硅中摻入百萬分之一的砷（As）后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試計算電子濃度和空穴濃度。

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5.問答題對于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。試計算本征硅的電阻率。

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