A.分辨力
B.垂直線(xiàn)性
C.水平線(xiàn)性
D.掃描范圍
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A.Df=λ
B.Df>λ
C.Df>>λ
D.Df<< λ
A.超聲波的頻率
B.超聲波的波形
C.介質(zhì)的性質(zhì)
D.超聲波的發(fā)射功率
A.∑i=0
B.∑I=0
C.∑I=2I
D.以上都不是
A.渦流的擴(kuò)散衰減
B.交變電流的趨膚效應(yīng)
C.渦流探傷儀的功率小
D.材料的磁導(dǎo)率不均勻
A.端部盲區(qū)
B.信噪比
C.誤報(bào)率
D.周向靈敏度波動(dòng)
最新試題
水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。
由于圓柱形工件有一定的曲率，直探頭與工件直接接觸時(shí)，接觸面為一條很寬的條形區(qū)域，從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的聲束擴(kuò)散。
動(dòng)態(tài)范圍的最小信號(hào)可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。
分辯率可使用通用探傷儀進(jìn)行測(cè)量，測(cè)試時(shí)儀器抑制置“零”或“開(kāi)”位，必要時(shí)可加匹配線(xiàn)圈。
缺陷垂直時(shí)，擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高，而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線(xiàn)上，從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。
缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。
電磁超聲探頭在工件的表層內(nèi)產(chǎn)生的渦流，在外加磁場(chǎng)的作用下，在工件中形成超聲波波源。
在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí)，應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù)，計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
衍射時(shí)差法對(duì)缺陷的定量依賴(lài)于缺陷的回波幅度。