NMOS傳輸門，不能正確傳輸高電平 PMOS傳輸門，不能正確傳輸?shù)碗娖?br /> CMOS傳輸門，電路規(guī)模較大。
比較當FO=1時，下列兩種8輸入的AND門，那種組合邏輯速度更快？
最新試題
與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。
在P 型半導體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
OED/ORD
什么是擴散的相互作用？試舉一例說明其對半導體器件的制造有何影響及其產生的原因。
因電場作用所產生的運動稱為擴散運動。
淀積擴散主要受哪些因素的控制？
列出并解釋替位雜質在硅中的三種主要擴散機制。
結電容是常量。
自由電子是載流子，空穴不是。
試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。
