A.缺陷深度
B.缺陷至探頭前沿距離
C.缺陷聲程
D.以上都可以
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A.液體密度
B.液體粘度
C.液體表面張力
D.液體品質(zhì)
A.探傷部位的厚度
B.磁極位置，間距
C.外磁場(chǎng)干擾
D.磁化規(guī)范
A.（4～8）D
B.（8～16）D
C.（15～20）D
D.（20～30）D
A.（4～8）D
B.（8～16）D
C.（15～20）D
D.（20～30）D
A.外表面小，內(nèi)表面大
B.外表面大，內(nèi)表面小
C.內(nèi)外表面大，中向小
D.外內(nèi)表面小，中向大
最新試題
分辯率可使用通用探傷儀進(jìn)行測(cè)量，測(cè)試時(shí)儀器抑制置“零”或“開(kāi)”位，必要時(shí)可加匹配線圈。
爬波在自由表面的位移有垂直分量，但不是純粹的表面波。
衍射時(shí)差法探傷，當(dāng)有缺陷存在時(shí)，在直通波和底面反射波之間，接收探頭會(huì)接收到缺陷處產(chǎn)生的衍射波。
為了減少側(cè)壁的影響，必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量，以便提高定量精度。
缺陷垂直時(shí)，擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高，而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上，從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。
檢測(cè)曲面工件時(shí)，探頭與工件接觸有兩種情況，一是平面與曲面接觸，另一種是將探頭斜楔磨成曲面，探頭與工件曲面接觸。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。
超聲波在圓柱內(nèi)反射，如果縱波在圓柱面上發(fā)生波形轉(zhuǎn)換，且一次反射橫波再經(jīng)另一側(cè)圓柱面波形轉(zhuǎn)換成二反射縱波，返回探頭接收，會(huì)形成等邊的三角形遲到回波。
液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過(guò)一段液體后再進(jìn)入試件的檢測(cè)的方法。
經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波，滯后時(shí)間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。