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判斷題預(yù)淀積擴(kuò)散是為了提供足夠的雜質(zhì)總量，而再分布擴(kuò)散是為了達(dá)到需要的擴(kuò)散深度并同時在硅的表面獲得一定厚度的氧化層。

1.判斷題二氧化硅膜能有效的對擴(kuò)散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件是雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)。

2.判斷題半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于無定形二氧化硅。

3.判斷題在常規(guī)熱氧化工藝中干氧氧化的速度最快。

4.判斷題溫度對氧化速率常數(shù)A、B都有影響，壓強只影響氧化速率常數(shù)B。

5.判斷題硅熱氧化形成SiO₂體積將增加約1倍。