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判斷題硅熱氧化形成SiO₂體積將增加約1倍。

1.判斷題SiO₂作為擴(kuò)散掩蔽膜需要滿足一定的厚度要求。

2.判斷題SiO₂中5價的網(wǎng)絡(luò)形成者可使結(jié)構(gòu)強(qiáng)度增加，而3價的網(wǎng)絡(luò)形成者可使結(jié)構(gòu)強(qiáng)度減小。

3.判斷題熱氧化生長的SiO₂都是四面體結(jié)構(gòu)，有橋鍵氧、非橋鍵氧，橋鍵氧越多結(jié)構(gòu)越致密，SiO₂中有離子鍵成份，氧空位表現(xiàn)為帶正電。

4.判斷題熱氧化過程中是硅向二氧化硅外表面運動，在二氧化硅表面與氧化劑反應(yīng)生成二氧化硅。

5.判斷題當(dāng)位錯線與滑移矢量垂直時，這樣的位錯稱為刃位錯，如果位錯線與滑移矢量平行，稱為螺位錯。