單項(xiàng)選擇題把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。
A.晶體生長(zhǎng)、硅錠
B.硅錠、晶體生長(zhǎng)
C.晶體生長(zhǎng)、晶胞
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1.單項(xiàng)選擇題在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
A.晶胞
B.晶長(zhǎng)
C.晶塊
2.多項(xiàng)選擇題從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
A.碳加熱
B.生產(chǎn)三氯硅烷
C.西門子反應(yīng)
3.多項(xiàng)選擇題BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。
A.CMOS
B.雙極技術(shù)
C.nMOS
4.多項(xiàng)選擇題MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
A.nMOS（n溝道）
B.pMOS（p溝道）
C.mMOS（m溝道）
5.單項(xiàng)選擇題由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
A.寄生電容
B.共生電容
C.儲(chǔ)存電容
最新試題
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項(xiàng)選擇題
什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？
題型：?jiǎn)柎痤}
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。
題型：?jiǎn)柎痤}
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：?jiǎn)柎痤}