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判斷題集成電路制造工藝中隔離擴(kuò)散的深度可以不超過外延層的厚度。

1.判斷題滿足雙極晶體管的正常工作，需要晶體管的基區(qū)非常薄，小于少子的擴(kuò)散長度才可，這樣使擴(kuò)散遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于復(fù)合。

2.判斷題制備光刻掩膜版，希望黑白區(qū)域間的過渡區(qū)越大越好。

3.判斷題在紫外光曝光、X射線曝光、電子束曝光技術(shù)中可實(shí)現(xiàn)直寫式曝光不需要掩模版的是X射線曝光技術(shù)。

4.判斷題通常稱在低阻襯底材料上生長高阻外延層的工藝為正向外延，反之稱為反向外延。

5.判斷題PSG高溫回流需要的溫度要比BPSG高。