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問答題 計算能量在E=E_c到E=E_c+之間單位體積中的量子態(tài)數(shù)。

1.問答題 磷化鎵的禁帶寬度Eg=2.26eV，相對介電常數(shù)ε_r=11.1，空穴的有效質量m_p^*=0.86m₀，m₀為電子的慣性質量，求
①受主雜質電離能；
②受主束縛的空穴的基態(tài)軌道半徑。

2.問答題 銻化銦的禁帶寬度Eg=0.18eV，相對介電常數(shù)ε_r=17，電子的有效質量m_n^*=0.015m₀， m₀為電子的慣性質量，求
①施主雜質的電離能
②施主的弱束縛電子基態(tài)軌道半徑。

3.問答題舉例說明雜質補償作用。

4.問答題以Ga摻入Ge中為例，說明什么是受主雜質、受主雜質電離過程和p型半導體。

5.問答題以As摻入Ge中為例，說明什么是施主雜質、施主雜質電離過程和n型半導體。