對(duì)于摻雜的硅材料，其電阻率與摻雜濃度和溫度的關(guān)系如圖所示，其中，AB段電阻率隨溫度升高而下降的原因是（）
A. 雜質(zhì)電離和電離雜質(zhì)散射
B. 本征激發(fā)和晶格散射
C. 晶格散射
D. 本征激發(fā)
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A.擴(kuò)散
B.漂移
C.熱運(yùn)動(dòng)
P型半導(dǎo)體發(fā)生強(qiáng)反型的條件（）
A.A
B.B
C.C
D.D
P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)中發(fā)生少子反型時(shí)，表面的導(dǎo)電類型與體材料的類型（）。在如圖所示MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性圖中，代表去強(qiáng)反型的（）。
A. 相同
B. 不同
C. 無關(guān)
D. AB段
E. CD段
F. DE段
G. EF和GH段
A. 帶正電的有效質(zhì)量為正的粒子
B. 帶正電的有效質(zhì)量為負(fù)的準(zhǔn)粒子
C. 帶負(fù)電的有效質(zhì)量為正的粒子
D. 帶負(fù)電的有效質(zhì)量為負(fù)的準(zhǔn)粒子
最新試題
對(duì)于NPN型三極管，當(dāng)VBE=0時(shí)，VBE＜VCE，則該管的工作狀態(tài)是（）
PNP型晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，基極應(yīng)當(dāng)（）
NPN型三極管三只管腳的電位關(guān)系為VE＜VC＜VB，則三極管工作在（）區(qū)。
PNP型晶體管中，N型區(qū)是（）
NPN型晶體管中，N型區(qū)是（）
I-V特性曲線和負(fù)載線的交叉點(diǎn)叫做（）
硅三極管的飽和壓降為（）。
三極管正常工作時(shí)，幾乎相等的兩種電流是（）
溫度升高時(shí)，三極管的β值（），導(dǎo)通電壓VBE（on）（）
若三極管VBE＞0，VBE＜VCE，則該三極管的工作狀態(tài)是（）