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多項選擇題 P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)中發(fā)生少子反型時，表面的導(dǎo)電類型與體材料的類型（）。在如圖所示MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性圖中，代表去強反型的（）。

A. 相同
B. 不同
C. 無關(guān)
D. AB段
E. CD段
F. DE段
G. EF和GH段

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1.單項選擇題導(dǎo)帶底的電子是（）。

A. 帶正電的有效質(zhì)量為正的粒子
B. 帶正電的有效質(zhì)量為負的準(zhǔn)粒子
C. 帶負電的有效質(zhì)量為正的粒子
D. 帶負電的有效質(zhì)量為負的準(zhǔn)粒子

2.問答題 請選出正確選項填入括號內(nèi)
在室溫下，半導(dǎo)體Si中摻入濃度為10¹⁴cm^-3的磷雜質(zhì)后，半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是（），多子濃度為（），費米能級的位置（）；一段時間后，再一次向半導(dǎo)體中摻入濃度為1.1×10¹⁵cm^-3的硼雜質(zhì)，半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是（），多子濃度為（），費米能級的位置（）；如果，此時溫度從室溫升高至K550，則雜質(zhì)半導(dǎo)體費米能級的位置（）。（已知：室溫下，n_i=10¹⁰cm^-3；K550時，n_i=10¹⁷cm^-3）

參考答案：

C；D；G；B；E；H；I

3.多項選擇題電離后向半導(dǎo)體提供空穴的雜質(zhì)是（），電離后向半導(dǎo)體提供電子的雜質(zhì)是（）。

A. 受主雜質(zhì)
B. 施主雜質(zhì)
C. 中性雜質(zhì)

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4.問答題 計算含有施主雜質(zhì)濃度為N_D=9×10¹⁵cm^-3，及受主雜質(zhì)濃度為1.1×10¹⁶cm³，的硅在33K時的電子和空穴濃度以及費米能級的位置。

參考答案：

5.問答題 計算能量在E=E_c到E=E_c+之間單位體積中的量子態(tài)數(shù)。

參考答案：