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對于摻雜的硅材料,其電阻率與摻雜濃度和溫度的關(guān)系如圖所示,其中,AB段電阻率隨溫度升高而下降的原因是()
A. 雜質(zhì)電離和電離雜質(zhì)散射
B. 本征激發(fā)和晶格散射
C. 晶格散射
D. 本征激發(fā)
A.擴散
B.漂移
C.熱運動
P型半導(dǎo)體發(fā)生強反型的條件()
A.A
B.B
C.C
D.D
P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)中發(fā)生少子反型時,表面的導(dǎo)電類型與體材料的類型()。在如圖所示MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性圖中,代表去強反型的()。
A. 相同
B. 不同
C. 無關(guān)
D. AB段
E. CD段
F. DE段
G. EF和GH段
A. 帶正電的有效質(zhì)量為正的粒子
B. 帶正電的有效質(zhì)量為負的準粒子
C. 帶負電的有效質(zhì)量為正的粒子
D. 帶負電的有效質(zhì)量為負的準粒子
最新試題
PNP型三極管工作在飽和狀態(tài)時,要求發(fā)射結(jié)(),集電結(jié)()
NPN型三極管工作在截止?fàn)顟B(tài)時,要求發(fā)射結(jié)(),集電結(jié)()
已知三極管的β=100,若IB=10μA,則該管的IC=()(忽略ICEO)
已知某三極管的射極電流IE=1.36mA,集電極電流IC=1.33mA,則基極電流IB=()
I-V特性曲線和負載線的交叉點叫做()
處于未飽和狀態(tài)的晶體管基極電流增大,則集電極電流()
測得以硅三極管的基極電壓為-1.7V,發(fā)射極電壓為-1V,集電極電壓為-5V,則該管為()
PNP型晶體管中,N型區(qū)是()
NPN型晶體管工作在放大狀態(tài)時,基極應(yīng)當(dāng)()
三極管正常工作時,幾乎相等的兩種電流是()