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判斷題無論本征半導體還是雜質(zhì)半導體，其電子濃度和空穴濃度的乘積為常數(shù)，由溫度和禁帶寬度決定。

1.判斷題將Si摻雜入GaAs中，Si取代Ga則起施主雜質(zhì)作用，若Si取代As則起受主雜質(zhì)作用。

2.判斷題費米分布函數(shù)適用于簡并的電子系統(tǒng)，波耳茲曼分布函數(shù)適用于非簡并的電子系統(tǒng)。

3.判斷題在熱力學溫度零度時，能量比E_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為100%，如果溫度大于熱力學溫度零度時，能量比E_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為小于50%。

4.判斷題室溫下，對于某n型半導體，其費米能級在其本征半導體的費米能級之下。

5.判斷題砷化稼是直接能隙半導體，硅和鍺是間接能隙半導體。