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判斷題費(fèi)米分布函數(shù)適用于簡并的電子系統(tǒng)，波耳茲曼分布函數(shù)適用于非簡并的電子系統(tǒng)。

1.判斷題在熱力學(xué)溫度零度時(shí)，能量比E_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為100%，如果溫度大于熱力學(xué)溫度零度時(shí)，能量比E_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為小于50%。

2.判斷題室溫下，對(duì)于某n型半導(dǎo)體，其費(fèi)米能級(jí)在其本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)之下。

3.判斷題砷化稼是直接能隙半導(dǎo)體，硅和鍺是間接能隙半導(dǎo)體。

4.判斷題與半導(dǎo)體相比，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需要的能量比半導(dǎo)體的大。

5.單項(xiàng)選擇題 對(duì)于摻雜的硅材料，其電阻率與摻雜濃度和溫度的關(guān)系如圖所示，其中，AB段電阻率隨溫度升高而下降的原因是（）

A. 雜質(zhì)電離和電離雜質(zhì)散射
B. 本征激發(fā)和晶格散射
C. 晶格散射
D. 本征激發(fā)