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對于摻雜的硅材料，其電阻率與摻雜濃度和溫度的關系如圖所示，其中，AB段電阻率隨溫度升高而下降的原因是（）

P型半導體發(fā)生強反型的條件（）

P型半導體MIS結構中發(fā)生少子反型時，表面的導電類型與體材料的類型（）。在如圖所示MIS結構的C-V特性圖中，代表去強反型的（）。

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在室溫下，半導體Si中摻入濃度為10¹⁴cm^-3的磷雜質后，半導體中多數(shù)載流子是（），多子濃度為（），費米能級的位置（）；一段時間后，再一次向半導體中摻入濃度為1.1×10¹⁵cm^-3的硼雜質，半導體中多數(shù)載流子是（），多子濃度為（），費米能級的位置（）；如果，此時溫度從室溫升高至K550，則雜質半導體費米能級的位置（）。（已知：室溫下，n_i=10¹⁰cm^-3；K550時，n_i=10¹⁷cm^-3）