問(wèn)答題對(duì)于室溫下硅材料,假設(shè)載流子遷移率分別為μn=1350cm2/V·s,μp=5001350cm2/V·s,且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10-19C,本
征載流子濃度ni=1010cm-3,硅的原子密度為5×1022cm-3,Nc=Nv=1019cm-3,k0T=0.026eV,ln200=5.3。當(dāng)在本征硅中摻入百萬(wàn)分之一的砷(As)后,設(shè)雜質(zhì)全部電離,試計(jì)算電子濃度和空穴濃度。
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