你可能感興趣的試題

判斷題
無論本征半導(dǎo)體還是雜質(zhì)半導(dǎo)體，其電子濃度和空穴濃度的乘積為常數(shù)，由溫度和禁帶寬度決定。
答案：正確
判斷題
將Si摻雜入GaAs中，Si取代Ga則起施主雜質(zhì)作用，若Si取代As則起受主雜質(zhì)作用。
答案：正確
判斷題
費(fèi)米分布函數(shù)適用于簡并的電子系統(tǒng)，波耳茲曼分布函數(shù)適用于非簡并的電子系統(tǒng)。
答案：正確
判斷題
在熱力學(xué)溫度零度時，能量比E_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為100%，如果溫度大于熱力學(xué)溫度零度時，能量比E_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為小于50%。
答案：錯誤
判斷題
室溫下，對于某n型半導(dǎo)體，其費(fèi)米能級在其本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級之下。
答案：錯誤
判斷題
砷化稼是直接能隙半導(dǎo)體，硅和鍺是間接能隙半導(dǎo)體。
答案：正確
判斷題
與半導(dǎo)體相比，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需要的能量比半導(dǎo)體的大。
答案：正確
單項選擇題
對于摻雜的硅材料，其電阻率與摻雜濃度和溫度的關(guān)系如圖所示，其中，AB段電阻率隨溫度升高而下降的原因是（）

A. 雜質(zhì)電離和電離雜質(zhì)散射
B. 本征激發(fā)和晶格散射
C. 晶格散射
D. 本征激發(fā)
多項選擇題
由于載流子存在濃度梯度而產(chǎn)生的電流是（）電流，由于載流子在一定電場力的作用下而產(chǎn)生電流是（）電流
A.擴(kuò)散
B.漂移
C.熱運(yùn)動
單項選擇題
P型半導(dǎo)體發(fā)生強(qiáng)反型的條件（）
A.A
B.B
C.C
D.D

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一塊半導(dǎo)體材料，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，其中非平衡載流子的壽命為τ。若光照忽然停止，經(jīng)過τ時間后，非平衡載流子全部消失。

你可能感興趣的試題

無論本征半導(dǎo)體還是雜質(zhì)半導(dǎo)體，其電子濃度和空穴濃度的乘積為常數(shù)，由溫度和禁帶寬度決定。

將Si摻雜入GaAs中，Si取代Ga則起施主雜質(zhì)作用，若Si取代As則起受主雜質(zhì)作用。

費(fèi)米分布函數(shù)適用于簡并的電子系統(tǒng)，波耳茲曼分布函數(shù)適用于非簡并的電子系統(tǒng)。

在熱力學(xué)溫度零度時，能量比E_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為100%，如果溫度大于熱力學(xué)溫度零度時，能量比E_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為小于50%。

室溫下，對于某n型半導(dǎo)體，其費(fèi)米能級在其本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級之下。

砷化稼是直接能隙半導(dǎo)體，硅和鍺是間接能隙半導(dǎo)體。

與半導(dǎo)體相比，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需要的能量比半導(dǎo)體的大。

對于摻雜的硅材料，其電阻率與摻雜濃度和溫度的關(guān)系如圖所示，其中，AB段電阻率隨溫度升高而下降的原因是（）

由于載流子存在濃度梯度而產(chǎn)生的電流是（）電流，由于載流子在一定電場力的作用下而產(chǎn)生電流是（）電流

P型半導(dǎo)體發(fā)生強(qiáng)反型的條件（）

一塊半導(dǎo)體材料，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，其中非平衡載流子的壽命為τ。若光照忽然停止，經(jīng)過τ時間后，非平衡載流子全部消失。

你可能感興趣的試題

無論本征半導(dǎo)體還是雜質(zhì)半導(dǎo)體，其電子濃度和空穴濃度的乘積為常數(shù)，由溫度和禁帶寬度決定。

將Si摻雜入GaAs中，Si取代Ga則起施主雜質(zhì)作用，若Si取代As則起受主雜質(zhì)作用。

費(fèi)米分布函數(shù)適用于簡并的電子系統(tǒng)，波耳茲曼分布函數(shù)適用于非簡并的電子系統(tǒng)。

在熱力學(xué)溫度零度時，能量比EF小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為100%，如果溫度大于熱力學(xué)溫度零度時，能量比EF小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為小于50%。

室溫下，對于某n型半導(dǎo)體，其費(fèi)米能級在其本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級之下。

砷化稼是直接能隙半導(dǎo)體，硅和鍺是間接能隙半導(dǎo)體。

與半導(dǎo)體相比，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需要的能量比半導(dǎo)體的大。

對于摻雜的硅材料，其電阻率與摻雜濃度和溫度的關(guān)系如圖所示，其中，AB段電阻率隨溫度升高而下降的原因是（）

由于載流子存在濃度梯度而產(chǎn)生的電流是（）電流，由于載流子在一定電場力的作用下而產(chǎn)生電流是（）電流

P型半導(dǎo)體發(fā)生強(qiáng)反型的條件（）

一塊半導(dǎo)體材料，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，其中非平衡載流子的壽命為τ。若光照忽然停止，經(jīng)過τ時間后，非平衡載流子全部消失。

無論本征半導(dǎo)體還是雜質(zhì)半導(dǎo)體，其電子濃度和空穴濃度的乘積為常數(shù)，由溫度和禁帶寬度決定。

將Si摻雜入GaAs中，Si取代Ga則起施主雜質(zhì)作用，若Si取代As則起受主雜質(zhì)作用。

費(fèi)米分布函數(shù)適用于簡并的電子系統(tǒng)，波耳茲曼分布函數(shù)適用于非簡并的電子系統(tǒng)。

在熱力學(xué)溫度零度時，能量比E_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為100%，如果溫度大于熱力學(xué)溫度零度時，能量比E_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為小于50%。

室溫下，對于某n型半導(dǎo)體，其費(fèi)米能級在其本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級之下。

砷化稼是直接能隙半導(dǎo)體，硅和鍺是間接能隙半導(dǎo)體。

與半導(dǎo)體相比，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需要的能量比半導(dǎo)體的大。

對于摻雜的硅材料，其電阻率與摻雜濃度和溫度的關(guān)系如圖所示，其中，AB段電阻率隨溫度升高而下降的原因是（）

由于載流子存在濃度梯度而產(chǎn)生的電流是（）電流，由于載流子在一定電場力的作用下而產(chǎn)生電流是（）電流