問(wèn)答題對(duì)于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μn=1350cm2/V·s，μp=5001350cm2/V·s，且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10-19C，本
征載流子濃度ni=1010cm-3，硅的原子密度為5×1022cm-3，Nc=Nv=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln200=5.3。畫(huà)出問(wèn)題（2）中雜質(zhì)半導(dǎo)體的能帶圖，并確定費(fèi)米能級(jí)相對(duì)于EC的位置
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若三極管各電極對(duì)地的電位是VB=-2.3V，VC=-7V，VE=-2V，則該三極管的工作狀態(tài)是（）
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β是（）的比值。
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當(dāng)晶體三極管的發(fā)射結(jié)加正偏、集電結(jié)加反偏時(shí)，它呈現(xiàn)的主要特性是正向受控作用，此時(shí)的工作模式稱(chēng)為（）模式。
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三極管工作時(shí)，有（）種載流子參與導(dǎo)電。
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