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問答題對于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。試計算問題（2）中雜質(zhì)半導(dǎo)體的電阻率與本征硅的電阻率的比值。

參考答案：

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1.問答題對于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。畫出問題（2）中雜質(zhì)半導(dǎo)體的能帶圖，并確定費米能級相對于E_C的位置

參考答案：

2.問答題對于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。當在本征硅中摻入百萬分之一的砷（As）后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試計算電子濃度和空穴濃度。

參考答案：

3.問答題對于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。試計算本征硅的電阻率。

參考答案：

4.判斷題金屬和半導(dǎo)體接觸分為有整流特性的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸。

參考答案：正確

5.判斷題在一定溫度下，光照在半導(dǎo)體材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照穩(wěn)定后，由于電子空穴對的產(chǎn)生率與復(fù)合率相等，所以稱為熱平衡狀態(tài)，有統(tǒng)一的費米能級。

參考答案：錯誤