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填空題當(dāng)半導(dǎo)體中載流子濃度的分布不均勻時(shí)，載流子將做（）運(yùn)動(dòng)；在半導(dǎo)體存在外加電壓情況下，載流子將做（）運(yùn)動(dòng)。

參考答案： 擴(kuò)散；漂移

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1.填空題半導(dǎo)體中的載流子主要受到兩種散射，它們分別是（）和（）。前者在（）下起主要作用，后者在（）下起主要作用。

參考答案：電離雜質(zhì)散射；晶格振動(dòng)散射；電離施主或電離受主形成的庫倫勢場；溫度高

2.填空題純凈半導(dǎo)體Si中摻V族元素的雜質(zhì)，當(dāng)雜質(zhì)電離時(shí)釋放（）。這種雜質(zhì)稱（）雜質(zhì)；相應(yīng)的半導(dǎo)體稱（）型半導(dǎo)體。

參考答案：電子；施主；N

3.問答題 如圖所示，為P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)形成的能帶圖。

判斷其表面空間電荷層的狀態(tài)（多子積累、少子耗盡、少子反型）

參考答案：少子反型

4.問答題 如圖所示，為P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)形成的能帶圖。

畫出對應(yīng)的電荷分布圖。

參考答案：

5.問答題室溫下，施主濃度為1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si與鋁Al形成金屬與半導(dǎo)體接觸，Al的功函數(shù)為4.30eV，Si的電子親和能為4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。判斷金屬-半導(dǎo)體接觸形成阻擋層還是反阻擋層。

參考答案：形成電子阻擋層。