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問(wèn)答題

如圖所示，為P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)形成的能帶圖。

畫(huà)出對(duì)應(yīng)的電荷分布圖。

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1.問(wèn)答題室溫下，施主濃度為1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si與鋁Al形成金屬與半導(dǎo)體接觸，Al的功函數(shù)為4.30eV，Si的電子親和能為4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。判斷金屬-半導(dǎo)體接觸形成阻擋層還是反阻擋層。

參考答案：形成電子阻擋層。

2.問(wèn)答題室溫下，施主濃度為1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si與鋁Al形成金屬與半導(dǎo)體接觸，Al的功函數(shù)為4.30eV，Si的電子親和能為4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。試畫(huà)出理想情況下金屬-半導(dǎo)體接觸的能帶圖，并標(biāo)明半導(dǎo)體表面勢(shì)V_S的數(shù)值。

參考答案：

3.問(wèn)答題室溫下，施主濃度為1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si與鋁Al形成金屬與半導(dǎo)體接觸，Al的功函數(shù)為4.30eV，Si的電子親和能為4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。計(jì)算硅Si的功函數(shù)。

參考答案：

4.問(wèn)答題 室溫下，n型硅樣品中，摻雜濃度N_D=10¹⁶cm^-3。光均勻照射Si樣品上，電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生率為1.25×10²⁰cm^-3s^-1，樣品壽命為8μs。計(jì)算無(wú)光照和有光照的電導(dǎo)率。其中，已知q=1.6×10^-19C

參考答案：

5.問(wèn)答題對(duì)于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。試計(jì)算問(wèn)題（2）中雜質(zhì)半導(dǎo)體的電阻率與本征硅的電阻率的比值。

參考答案：