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填空題純凈半導(dǎo)體Si中摻V族元素的雜質(zhì)，當(dāng)雜質(zhì)電離時(shí)釋放（）。這種雜質(zhì)稱（）雜質(zhì)；相應(yīng)的半導(dǎo)體稱（）型半導(dǎo)體。

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1.問(wèn)答題 如圖所示，為P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)形成的能帶圖。

判斷其表面空間電荷層的狀態(tài)（多子積累、少子耗盡、少子反型）

2.問(wèn)答題 如圖所示，為P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)形成的能帶圖。

畫出對(duì)應(yīng)的電荷分布圖。

3.問(wèn)答題室溫下，施主濃度為1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si與鋁Al形成金屬與半導(dǎo)體接觸，Al的功函數(shù)為4.30eV，Si的電子親和能為4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。判斷金屬-半導(dǎo)體接觸形成阻擋層還是反阻擋層。

參考答案：形成電子阻擋層。

4.問(wèn)答題室溫下，施主濃度為1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si與鋁Al形成金屬與半導(dǎo)體接觸，Al的功函數(shù)為4.30eV，Si的電子親和能為4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。試畫出理想情況下金屬-半導(dǎo)體接觸的能帶圖，并標(biāo)明半導(dǎo)體表面勢(shì)V_S的數(shù)值。

參考答案：

5.問(wèn)答題室溫下，施主濃度為1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si與鋁Al形成金屬與半導(dǎo)體接觸，Al的功函數(shù)為4.30eV，Si的電子親和能為4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。計(jì)算硅Si的功函數(shù)。

參考答案：