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問(wèn)答題證明：對(duì)于某n型半導(dǎo)體，試證明其費(fèi)米能級(jí)在其本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)之上，即E_Fn>E_F。

1.填空題（）是反映載流子在電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng)難易程度的物理量，（）是反映有濃度梯度時(shí)載流子運(yùn)動(dòng)難易程度的物理量，聯(lián)系兩者的關(guān)系式是（），稱(chēng)為（）關(guān)系式。

遷移率；擴(kuò)散系數(shù)；；愛(ài)因斯坦

2.填空題當(dāng)半導(dǎo)體中載流子濃度的分布不均勻時(shí)，載流子將做（）運(yùn)動(dòng)；在半導(dǎo)體存在外加電壓情況下，載流子將做（）運(yùn)動(dòng)。

3.填空題半導(dǎo)體中的載流子主要受到兩種散射，它們分別是（）和（）。前者在（）下起主要作用，后者在（）下起主要作用。

4.填空題純凈半導(dǎo)體Si中摻V族元素的雜質(zhì)，當(dāng)雜質(zhì)電離時(shí)釋放（）。這種雜質(zhì)稱(chēng)（）雜質(zhì)；相應(yīng)的半導(dǎo)體稱(chēng)（）型半導(dǎo)體。

5.問(wèn)答題 如圖所示，為P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)形成的能帶圖。

判斷其表面空間電荷層的狀態(tài)（多子積累、少子耗盡、少子反型）