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問答題以n型Si材料為例，畫出其電阻率隨溫度變化的示意圖，并作出說明和解釋。

1.問答題畫出外加正向和負(fù)向偏壓時(shí)pn結(jié)能帶圖（需標(biāo)識出費(fèi)米能級的位置）。

2.問答題證明：對于某n型半導(dǎo)體，試證明其費(fèi)米能級在其本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級之上，即E_Fn>E_F。

3.填空題（）是反映載流子在電場作用下運(yùn)動難易程度的物理量，（）是反映有濃度梯度時(shí)載流子運(yùn)動難易程度的物理量，聯(lián)系兩者的關(guān)系式是（），稱為（）關(guān)系式。

遷移率；擴(kuò)散系數(shù)；；愛因斯坦

4.填空題當(dāng)半導(dǎo)體中載流子濃度的分布不均勻時(shí)，載流子將做（）運(yùn)動；在半導(dǎo)體存在外加電壓情況下，載流子將做（）運(yùn)動。

5.填空題半導(dǎo)體中的載流子主要受到兩種散射，它們分別是（）和（）。前者在（）下起主要作用，后者在（）下起主要作用。