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問(wèn)答題現(xiàn)有三塊半導(dǎo)體硅材料，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3分別計(jì)算這三塊材料的費(fèi)米能級(jí)的位置。

1.問(wèn)答題現(xiàn)有三塊半導(dǎo)體硅材料，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3判斷這三塊材料的導(dǎo)電類型

2.問(wèn)答題現(xiàn)有三塊半導(dǎo)體硅材料，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3分別計(jì)算這三塊材料的電子濃度n₀₁，n₀₂，n₀₃；

3.問(wèn)答題以n型Si材料為例，畫出其電阻率隨溫度變化的示意圖，并作出說(shuō)明和解釋。

4.問(wèn)答題畫出外加正向和負(fù)向偏壓時(shí)pn結(jié)能帶圖（需標(biāo)識(shí)出費(fèi)米能級(jí)的位置）。

5.問(wèn)答題證明：對(duì)于某n型半導(dǎo)體，試證明其費(fèi)米能級(jí)在其本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)之上，即E_Fn>E_F。