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問答題現(xiàn)有三塊半導(dǎo)體硅材料，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3分別計(jì)算這三塊材料的電子濃度n₀₁，n₀₂，n₀₃；

1.問答題以n型Si材料為例，畫出其電阻率隨溫度變化的示意圖，并作出說明和解釋。

2.問答題畫出外加正向和負(fù)向偏壓時(shí)pn結(jié)能帶圖（需標(biāo)識出費(fèi)米能級的位置）。

3.問答題證明：對于某n型半導(dǎo)體，試證明其費(fèi)米能級在其本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級之上，即E_Fn>E_F。

4.填空題（）是反映載流子在電場作用下運(yùn)動難易程度的物理量，（）是反映有濃度梯度時(shí)載流子運(yùn)動難易程度的物理量，聯(lián)系兩者的關(guān)系式是（），稱為（）關(guān)系式。

遷移率；擴(kuò)散系數(shù)；；愛因斯坦

5.填空題當(dāng)半導(dǎo)體中載流子濃度的分布不均勻時(shí)，載流子將做（）運(yùn)動；在半導(dǎo)體存在外加電壓情況下，載流子將做（）運(yùn)動。