A、用直徑較小的探頭進(jìn)行檢驗(yàn)
B、在細(xì)化晶粒熱處理后進(jìn)行檢驗(yàn)
C、將接觸法檢驗(yàn)改為液浸法檢驗(yàn)
D、將縱波檢驗(yàn)改為橫波檢驗(yàn)
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A、頻率較低的探頭和粘度較高的耦合劑
B、頻率較高的探頭和粘度較低的耦合劑
C、頻率較高的探頭和粘度較高的耦合劑
D、頻率較低的探頭和粘度較低的耦合劑
A、縱波
B、橫波
C、縱波與橫波
D、表面波
A、縱波
B、橫波
C、表面波
D、以上都不是
A、等于入射角
B、取決于使用的耦合劑
C、取決于使用的頻率
D、等于折射角
A、底波降低或消失
B、較高的雜波
C、超聲波的穿透力降低
D、以上都是
最新試題
X射線檢測(cè)人員健康體檢為每（）年一次。
像質(zhì)計(jì)放置次數(shù)一般應(yīng)與透照次數(shù)相同，相同部位、相同的透照條件連續(xù)透照時(shí)可適當(dāng)減少放置次數(shù)．但不少于透照次數(shù)的三分之一。
送檢產(chǎn)品工序狀態(tài)及表面質(zhì)量應(yīng)符合工藝規(guī)程或工藝處理意見的要求，經(jīng)表面檢驗(yàn)合格，申請(qǐng)單無(wú)需檢驗(yàn)蓋章確認(rèn)。
航天無(wú)損檢測(cè)人員的資格分為三個(gè)等級(jí)：Ⅰ級(jí)為初級(jí)，Ⅱ級(jí)為中級(jí)，Ⅲ級(jí)為高級(jí)。其中Ⅱ級(jí)人員應(yīng)具備的能力有（）。
對(duì)于直徑Φ50mm導(dǎo)管環(huán)焊縫，采用的透照方式為（）。
為了提高射線照相對(duì)比度，可以采用高電壓、短時(shí)間、大管電流的方式曝光。
底片圖像質(zhì)量參數(shù)中的顆粒度與膠片的粒度是同一概念。
缺陷分類應(yīng)符合驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)的要求，標(biāo)準(zhǔn)未作規(guī)定的缺陷或不屬于X射線照相檢驗(yàn)范疇的缺陷，必要時(shí)可予以注明供有關(guān)人員參考，但不作為合格與否判定的依據(jù)。
在射線照相檢驗(yàn)中，隨著射線能量的提高，得到的圖像不清晰度也將增大。
射線檢測(cè)最有害的危險(xiǎn)源是（），必須嚴(yán)加控制。